型号:ZXMN2A04DN8TC | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Diodes Inc |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET DUAL N-CHAN 20V 8SOIC |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET DUAL N-CHAN 20V 8SOIC |
系列 | - |
制造商 | Diodes Inc |
FET型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 5.9A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 25 毫欧 @ 5.9A,4.5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 700mV @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 40.5nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1880pF @ 10V |
功率_最大 | 1.25W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOP |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
深圳市恒佳微电子有限公司 | 朱经理、张小姐0755-82533156 82710336 |
深圳市鑫远鹏科技有限公司 | 谌小姐15112667855 |
深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
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深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
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