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电子元器件详细资料 » IC[34680] » ZXMN2A04DN8TC
型号:ZXMN2A04DN8TC类别:FET - 阵列制造商:Diodes Inc
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET DUAL N-CHAN 20V 8SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET DUAL N-CHAN 20V 8SOIC
系列-
制造商Diodes Inc
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C5.9A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C25 毫欧 @ 5.9A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大222700mV @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs40.5nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds1880pF @ 10V
功率_最大1.25W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOP
包装带卷 (TR)

ZXMN2A04DN8TC相关型号

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